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电子元器件详细资料 » IC[25746] » NTMSD2P102R2
型号:NTMSD2P102R2类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222-
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds750pF @ 16V
功率_最大710mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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NTMSD2P102R2相关型号

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